技术编号：2867283
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种用于等离子体刻蚀的聚焦环，包括绝缘体材料的下环、导体材料的中环以及上环。本发明亦提供一种包括该聚焦环的等离子体刻蚀装置，其中，对聚焦环的加载预设电压，该预设电压为针对不同的等离子体放电模型，获取刻蚀腔室中一个射频周期内的平均电压的近似最大值。在等离子体刻蚀过程中，虽然上环逐渐被腐蚀掉，但由于中环限制了晶圆边缘附近的电场分布，上环高度变化对晶圆边缘的等离子体特性影响较小，尤其是对离子入射角度影响较小，能够保证晶圆边缘的刻蚀剖面的垂直度不发生较大...
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