技术编号：2868717
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及基板处理装置，包括腔室，其形成处理空间；基板支架，其配置于所述腔室的内部，支撑基板；及上部电极，其与所述基板支架相向配置，接入RF电源；所述基板支架具备在内部相互隔开并独立地控制的多个接地电极，使得在所述上部电极与所述基板支架之间形成的等离子体均一形成至所述基板支架的边缘区域。另外，本发明能够在基板和基板周边部均一地控制等离子体分布或密度，在基板的中心区域和边缘区域均一控制等离子体分布或密度。专利说明基板支撑装置及具备其的基板处理装置 [0...
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