技术编号：2868987
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及包括等温处理区的等离子体处理设备，即涉及一种具有等温处理区的用于处理半导体衬底的沉积设备，其包括化学离析室，半导体衬底在化学离析室中处理。处理气体源流体连通喷头模块，喷头模块从处理气体源输送处理气体到等温处理区，其中喷头模块包括面板，其中面板的下表面形成限定等温处理区的腔体的上壁；背板；和隔离环，隔离环包围面板和背板。至少一个压缩密封件被压缩在面板与背板之间，在面板与背板之间形成中心气体充气室。衬底基座模块被配置为加热并支撑半导体衬底，其中基座模...
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