技术编号：2869055
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种处理室，其包括反应室，其具有处理区域；处理气体入口，其与处理区域连通；第一受激发物质生成区，其与处理气体入口连通；以及第二受激发物质生成区，其与处理气体入口连通。一种处理基板的方法，其包括以下步骤在处理区域内加载基板；激活第一受激发物质生成区，以在第一脉冲期间向处理区域提供第一受激发物质前驱物；以及激活第二受激发物质生成区，以在第二脉冲期间向处理区域提供不同于第一受激发物质前驱物的第二受激发物质前驱物。专利说明具有等离子体能力的半导体反应室 [0...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。