技术编号：2871387
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及分别根据各独立权利要求的前序部分所述的一种用于对基片进行等离子处理方法和装置。背景技术对平面基片进行等离子处理的装置为大家所熟知。例如EP 312 447 Bl描述了一种应用于电子或光电应用的对平面基片上的薄层进行等离子体沉积(PECVD)的装置。未公开的DE 10 2007 022 252. 3描述了一种用于对大面积平面基片进行等离子镀膜的系统，其中基片面积的数量级可以在Im2及以上。所述等离子在电极和对电极之间产生，并在两电极之间引入该待处理...
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