技术编号:28723499
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及极化激元纳米结构制备领域,具体涉及一种一维单晶锗基石墨烯等离激元纳米结构的制备方法。背景技术.随着现代信息技术的飞速发展,人们对于器件微型化、高度集成化和光数据处理的要求越来越高,在纳米级尺度增强电子、光子与物质相互作用,实现光学传输与操控成为普遍关注的热点。表面等离激元能够突破传统光学衍射极限,具有很强的局域电磁场增强特点,使其在高灵敏度生物检测、传感和新型光源等领域有着广阔的应用前景。.然而,目前对于等离激元的研究大多都是基于金、银等贵金属,光学响应通常处于可见光和近红外波...
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