技术编号:28738456
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体装置以及电力变换装置。背景技术.以往,作为在电力变换装置中使用的半导体装置,提出了在半导体材料中使用碳化硅(sic)的半导体装置。在这样的半导体装置中,相比于在半导体材料中使用硅(si)的半导体装置,开关速度更快,所以在截止动作时电流迅速地减少而开关损耗被降低,但另一方面,开关时的浪涌电压增加。.因此,已知为了降低浪涌电压,正极端子以及负极端子的各一部分构成为相互层叠的平行平板区域的半导体装置(参照例如专利文献)。在这样的半导体装置中,在层叠的个平行平板区域的一方中流...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。