技术编号：28741208
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及传感器领域，特别涉及一种带有电性/化学性活跃金属层的真空封装器件。背景技术.目前，mems晶圆吸气剂使用的薄膜吸气剂层，他的功能仅用于吸收气体，不提供任何其他功能。发明内容.本发明的目的是取消了薄膜吸气剂层，用金属吸气层代替其功能，还有导电作用，也可作为垂直电极，使得工艺更加简单，特提供了一种带有电性/化学性活跃金属层的真空封装器件。.本发明提供了一种带有电性/化学性活跃金属层的真空封装器件，其特征在于：所述的带有电性/化学性活跃金属层的真空封装器件，包括cmos晶圆，硅基...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。