技术编号：2886695
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种能够用来制造诸如大规模集成电路(LSI)的半导体器件，和诸如磁光盘的记录媒体的薄膜形成方法及装置，更确切地说，涉及一种能够通过利用离子化微粒来制取各种类型淀积薄膜的离子化薄膜形成方法及装置。薄膜形成方法通常被用于在各种半导体器件上形成布线和层间绝缘膜，或者在记录媒体上形成磁性层和保护层。但是，这些必须显现多种特性的薄膜形成方法，在近几年来又被用于制取在衬底中形成的沟槽内部尤其是沟槽底部具有改进的覆盖率的薄膜。图5示出了一种利用常规溅射方法所淀...
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