技术编号：2893996
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及馈送在半导体的离子植入中所用的离子源的气体反应腔室，且更明确 地说，涉及将气态材料转化成用于离子束产生的特定气体馈送材料(例如，分子气体材料 转化成其它分子或原子种类)的气体反应腔室。背景技术离子植入为集成电路(IC)制造中的关键使能技术。在逻辑和存储器IC的制造 中，将离子植入到衬底中以形成晶体管结，所述衬底由(例如)硅和GaAs晶片形成。还植 入离子以对Pn结的阱区进行掺杂。通过改变离子的能量，可控制离子植入到衬底中的植入 深度，从而允许对由...
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