技术编号：2895434
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造装置。 背景技术通常，电容耦合等离子体(CCP =Capacitively Coupled Plasma)的等离子体密度 为 10lclcm_3，比电感耦合等离子体(ICP JnductivelyCoupled Plasma)的等离子体密度 IO12CnT3低。另外，对于电容耦合等离子体，由于不能调整衬底上下间的等离子体密度均勻 性，因此通过调整气体流量、温度等来谋求衬底上生成的膜厚的均勻化。因此，在所生成的 膜的性能方面会产生不均，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。