技术编号：2896575
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例一般地涉及具有用于在半导体处理室中支撑衬底的屏蔽罩的基座。背景技术 在半导体衬底处理中，特征尺寸和线宽日益减小的趋势已经使在半导体工件或衬底上以更高的精密度进行掩模、蚀刻和沉积材料的能力得到重视。等离子蚀刻对于获得小于0.25微米的临界尺寸尤其重要。一般地，蚀刻是通过对被输送到由支撑构件支撑的衬底上方的低压区域中的工作气体施加射频(RF)功率来完成的。由此得到的电场在处理区域中产生反应带，该反应带将工作气体激发为等离子体。对支撑构件施加偏压以...
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