技术编号：2896721
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于真空电子发射显示，具体涉及一种冷阴极场致发射显示器件 的像素结构及其制作工艺方法。背景技术场致电子发射(Field Electron Emission，简称FE)，是指外加电场作用于材料表 面，导致材料表面势垒的降低和宽度的变窄，从而材料内费米海中的大量电子可以隧道穿 过或者越过势垒顶部而进入真空的发射过程。场致发射显示技术(FED)是利用场致电子发 射技术实现图像显示的技术，FED产生图像的原理为通过电场使电子从电子发射材料表面 发射出来，在电...
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