技术编号：2897122
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般地涉及离子植入，更具体地说涉及离子源灯丝以及与之相关联的方法和装置。本发明的现有技术离子植入是用来把搀杂剂引入半导体材料的传统技术。为了使所需要的搀杂剂气体离子化，电弧放电可以在离子源的电弧室内产生。离子可以从离子源中被提取出来，以形成能对准半导体晶片表面的具有选定的能量的离子束。束中的离子刺入半导体晶片形成植入区域。一些类型的离子源包括位于电弧室内有电阻的灯丝。为了产生电弧放电，当电压加在灯丝和正电极之间时，电流在灯丝上通过。适当的灯丝可以是用...
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