技术编号：2897140
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要涉及清洗工艺处理室的设备和方法，可用于移除先前沉积而积聚在设备内表面上的处理室残留物。具体而言，本发明涉及用于清除所述工艺处理室内壁上的残留物的高压无晶片等离子体清洗方法。背景技术 对于半导体装置来说，其几何形状趋小的持续趋势使得越来越难以保持其关键尺寸的一致性和精确性。此外，为了确保各晶片之间的关键尺寸的偏差仍在可接受的范围之内，越来越重要的是，工艺处理室内的环境应保持清洁和一致。如本领域的技术人员所知，在半导体工艺处理室内进行的许多工艺步骤会...
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