技术编号：2897141
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及真空等离子体处理器，尤其涉及包括电极阵列的真空等离子体处理器，所述电极阵列具有形成等离子体处理器的底部电极和上部电极的两个以上相互绝缘的电极。本发明的另一个方面涉及一种真空等离子体处理器，它包括控制工件局部温度的温差、Peltier效应装置。本发明的另外的方面涉及一种真空等离子体处理器，它包括传感器装置和在工件和/或等离子体的不同位置处确定至少一个局部处理参数的一种方法。本发明的又一个方面涉及一种真空等离子体处理器，用于控制等离子体处理工件的...
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