硅基介质隧穿发射器的制作方法技术资料下载

技术编号:2897785

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本发明的目的是场发射器件。确切地说,本发明的目的是利用直接隧穿的平板场发射发射器及其在电子器件中的应用。背景技术 已经提出并实现了几种不同的场发射器件,来产生对显示器或诸如存储器件之类的其它电子器件有用的电子发射。诸如电子管之类的具有热离子发射的真空器件,通常要求对阴极表面进行加热以便产生电子发射。这些电子在真空中被拉向处于预定电压电位以吸引电子的阳极结构。对于诸如阳极射线管之类的显示器件,阳极结构涂敷有磷光体,以便当电子碰撞到磷光体上时,产生光子,从而产...
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  • 高老师:1.电力电子及应用 2.嵌入式系统应用