技术编号：2900666
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于紫外探测材料，具体涉及一种基于半导体材料外延技术、半导体 材料掺杂技术和超高真空表面激活技术相结合的紫外光电阴极材料结构。背景技术近年来，随着GaN材料制备技术、p型掺杂技术的完善以及超高真空技术的发展，GaN 紫外光电阴极正成为一种新型高性能的紫外光电阴极。这种阴极的表面具有负电子亲和势 (NEA)，即阴极的表面真空能级低于体内导带底能级，因此体内光生电子只需运行到表面， 就可以轻而易举地发射到真空而无需过剩动能去克服材料表面的势垒，这样电子的...
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