技术编号：2901571
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体制造设备，尤其涉及一种等离子体处理装置。 背景技术在半导体器件的制造过程中，通常需要在半导体基底上形成层结构，然后对层结 构作不同工艺的处理，如刻蚀，以形成所需图案。随着制造工艺的不断完善，为了制备性能 更好的半导体器件，现有的刻蚀方法正从湿法刻蚀逐步转变为干法刻蚀，例如等离子体刻 蚀。如图1所示为等离子体处理装置的结构示意图，一般等离子处理装置包括圆柱形 的反应腔室1，在该反应腔室1的底部设置有用于放置基片2的基台3，在反应腔室1的顶...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。