技术编号：29048204
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于半导体和cmos混合集成电路技术领域，具体涉及一种基于多阻变层的阻变存储器及制备方法。背景技术.随着摩尔定律极限的逼近，冯诺依曼结构的弊端越来越明显，表现为低存储效率和高功耗。与此同时，伴随互联网技术的迭代更新，人工智能技术对于存储器件提出了更高的要求。非冯诺依曼结构，具体表现为近存和存算一体化技术对新型非易失性器件的需求逐渐上升，其中电阻型阻变存储器(rram)凭借其简单三层结构(上电极，阻变层，下电极)，低功耗，高密度集成，读写速度快等优势成为代替传统闪存的有力竞争者。在低操...
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