技术编号：2906833
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在基板面内形成不均匀剂量分布的离子注入方法和离子注入装置。背景技术在作为半导体基板的一个制造工序的离子注入工序中，有时以使向基板(例如晶片或玻璃基板)面内注入的离子的注入量(也称为剂量)分布不均匀的方式进行离子注入处理。例如，在半导体基板的制造工序中，存在一个基板上制造出的半导体器件的特性在基板面内不均匀的问题。作为对这种不均匀的半导体器件的特性分布进行补偿的方法，以往以来采用如下方法在离子注入工序中，使向基板注入的离子的剂量在基板面内不均匀地分...
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