技术编号：2907151
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及等离子体处理装置。 背景技术在现有的半导体装置的制造领域等中，作为对半导体晶片等基板进行成膜处理和蚀刻处理等的处理装置，有使用感应耦合等离子体(ICP)的等离子体处理装置。作为使用ICP的等离子体处理装置的处理气体供给构造，有一种方式是，在将高频线圈设置于处理室的上部的等离子体装置中，例如在基板周围的高频线圈与基板之间的空间设置由环状的中空管形成的处理气体供给机构，从设置于中空管内侧的多个气体喷出口向基板的上部空间喷出处理气体(例如，参照专利文献...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。