半导体等离子体参数非侵入性测量和分析的方法和设备的制作方法技术资料下载

技术编号:2909843

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本发明涉及等离子体工艺设备的,尤其是,本发明涉及等离子体工艺设备参数的非侵入性测量和分析所使用的传感设备。背景技术 等离子体工艺系统在如下方面有重要的用途,如材料加工,半导体制造和工艺,集成电路,显示和其他用于蚀刻或在例如半导体晶片的衬底上形成层沉淀的电子仪器。通常,等离子体工艺系统的基本组成包括形成等离子体的腔体,连接到一个用于注入和去除处理气体的真空端口上的泵浦区,和一个在腔体内部形成等离子体的电源。附加的组件可以包括一个支撑晶片的卡盘,一个电源,用于...
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  • 高老师:1.电力电子及应用 2.嵌入式系统应用