技术编号：2911044
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种电场发射器件及其制造方法；并且特别涉及一种。背景技术 一般情况下，电场发射器件意味着根据隧穿效应从真空中的金属或半导体的表面发射电子的器件，其中所述隧穿效应是通过向所述表面施加具有高强度的电场而引起的。这种电场发射器件可以用作高速开关器件、微波发生器、放大器或显示器件。在该器件中，发射的电子可以在真空中以低能量损失在高频下感应出大功率。此外，该器件具有以下几个优点它具有比常规固态器件短的响应时间，并且可以被集成到单个硅芯片上。图1示出了通过使...
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