技术编号：2914128
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于半导体晶片和其它工件的离子束扫描的系统和方法，更具体地说涉及用于高效率离子束扫描的系统和方法，其中过扫描受到限制而且剂量均匀一致得以实现。本发明的现有技术离子注入是用来把改变导电率的杂质引入半导体晶片的标准技术。所需要的杂质材料在离子源中被离子化，离子被加速成具有规定能量的离子束，而且离子束对准晶片的表面。射束中的高能离子深入半导体材料的主体并且嵌入半导体材料的晶格形成导电率符合需要的区域。离子注入系统通常包括用来把气体或固体材料转化成定义明...
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