技术编号：2914129
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及等离子体加工系统中使用的电极，更具体地说涉及具有牺牲保护层的电极。背景技术 在生产集成电路(IC)装置的过程中，等离子体加工系统被用于在半导体制造中从工件(例如半导体基体)上除去材料或者在所述工作上沉积材料。获得IC的最高产量和总体质量的关键因素是等离子体蚀刻和沉积过程的均匀性。困扰现有等离子体加工系统的问题是获得均匀蚀刻和沉积的等离子体的控制。在等离子体加工系统中，影响蚀刻或沉积均匀性的一个因素是工件上方等离子体密度的空间均匀性。后者由整个系统...
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