技术编号：2914514
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种加热装置，具体涉及一种用于等离子处理器的气体分布装置的加热装置。背景技术现有等离子反应腔通常都包括一个放置待加工晶圆的基座，基座内通有连接到射频电源的电极和其它控温装置。于基座相对的是一个气体分布装置比如典型的气体喷淋头，通过气体喷淋头将混合好的反应气体按要求向晶圆表面均勻的喷射出去。由于等离子加工过程中反应腔内温度会被射频能量加热而升高，所以气体喷淋头以及周围会被加热的部件都会随着温度的变化而热胀冷缩。每个等离子加工步骤完成后都会熄灭等...
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