技术编号：2916885
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及紫外探测材料，具体涉及一种基于衬底图形化、IH-V 族化合物材料外延技术和超高真空表面激活技术相结合的基于双面凹孔衬底的透射式GaN 光电阴极。背景技术近年来，随着GaN材料制备技术、ρ型掺杂技术的完善以及超高真空技术的发展， GaN紫外器件得到了快速发展。GaN紫外光电阴极是一种高性能的电子发射材料，能通过外光电发射(电子发射)实现对紫外光的高灵敏探测。由于GaN紫外光电阴极具有负电子亲和势(NEA)表面，因此与传统正电子亲和势紫外光阴极以...
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