技术编号：2920249
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种场发射型的电子源及制造场发射型电子源的方法，该场发射型的电子源可以利用场发射现象发射电子束。背景技术 目前已知的一种使用纳米晶体硅的电子设备是如图17和18所示的场发射型的电子源(例如，日本专利公开号No.2987140和3112456)。图17所示的场发射型的电子源10’(下面简称为“电子源”)包括作为导电衬底的n型硅衬底1，由氧化多孔硅层构成并在该n型硅衬底1的主表面侧形成的强场漂移层(下面简称为“漂移层”)6，由金属薄膜(例如金薄膜)构...
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