技术编号:29205925
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及制冷红外探测器技术领域,特别是涉及一种硬掩模刻蚀图形的方法。背景技术.在目前第-代半导体制造中,icp刻蚀(inductively coupled plasma,感应耦合等离子体刻蚀)或者rie刻蚀(reactive ion etching,反应离子刻蚀)是必不可少的工艺步骤。在icp刻蚀或rie刻蚀时,通常采用sio作为硬膜层,以得到良好的sio剖面。.近年来,icp刻蚀或rie刻蚀作为常见的等离子体干法刻蚀,在对硅、二氧化硅、三五族化合物等材料的刻蚀时可以获得很好的...
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