技术编号：2920669
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。发明领域本发明涉及等离子体反应堆的设备与工艺。更确切地说，本发明涉及在一部分正电压源偏置振荡循环的过程中对半导体衬底基座强化电压，以减小或消除特征充电在等离子体反应堆操作期间的不利影响。背景技术 状态电子元件的较高性能、较低成本与提高的小型化程度和集成电路的较高密度，是计算机行业所追求的目标。提高集成电路密度的一种常用技术，涉及将多层有源和无源元件相互在顶上堆积起来，从而在形成于这些层中每一层上的器件之间实现多级电气互连。这种多级电气互连一般用延伸通过分离...
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