技术编号：2920683
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。背景本发明涉及衬底处理的监控。在衬底处理方法中，通过例如化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、氧化、氮化、离子注入和蚀刻工艺在衬底上形成包括半导体、绝缘材料和导体材料、包括但不限制的硅、多晶硅、二氧化硅、铝、铜和硅化钨材料的部件。在CVD工艺中，采用反应气体在衬底上沉积材料。在PVD工艺中，溅射靶以在衬底上沉积材料。在氧化和氮化工艺中，通过将衬底暴露于合适的气体环境中，在衬底上形成氧化物或氮化物材料如二氧化硅或氮化硅。在离子注入中，将离子注入到衬...
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