技术编号：2920911
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，特别是涉及具有埋入的多层配线结构的。背景技术 在具有埋入的多层配线结构的半导体装置的制造方法中，近来，为了进行将层间绝缘膜夹持在其间地配置的底层的结构与上层配线的电连接，采用称之为双重金属镶嵌(dual-damascene)法的方法。这种方法是一种同时形成贯穿层间绝缘膜、到达下层的结构的插塞和上层配线的方法，在专利文献1中公开了它的一个例子。即，在专利文献1中，列举了在贯穿层间绝缘膜达到半导体基板的接触孔内填充抗蚀剂材料，通过紫外线照射等使该抗...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
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