技术编号:29221514
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种双单管激励加嵌位二极管的igbt模块技术领域.本实用新型属于功率半导体技术领域,涉及一种双单管激励加嵌位二极管的igbt模块。背景技术.现有功率器件品种较多,但适用于大功率高电压和高频率应用的功率器件均受到不同的材料、制造成本和技术的限制。现有适用于高频逆变功率器件主要有vmos、igbt和碳化硅技术产生的新器件。.vmos是最利于适用于高频功率变换的,其频率高,导通损耗低。但其耐压等级限制在一个等级范围内,相对于v的三相供电电压等级应用是不适用的。虽有电气技术可以实现高压大功率...
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