技术编号：2922442
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明大体上有关于离子注入系统，且更特别地，有关于一种与质量分析带状离子束有关的质量分析器及方法。背景技术 离子注入系统被使用在集成电路制造中掺入杂质至半导体内。在这类系统中，一离子源离子化一种想要的掺杂物元素，该掺杂物元素以离子束形式取自该离子源。该离子束典型地会进行质量分析以选择具有想要的电荷对质量比的离子，接着针对一半导体晶片表面将该掺杂物元素注入该晶片。该射束的离子穿过该晶片表面，以例如在晶片内的晶体管元件制造中形成想要的导电率区域。典型的离子注入...
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