技术编号：2922710
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要涉及离子注入系统，且特别是涉及将离子束保含在一离子注入系统内的改良装置和系统。背景技术 在半导体器件的生产制造中，离子注入作业被用以将杂质掺入半导体内。可借助一离子束，运用离子束注入器或离子注入系统处理硅晶片，以在集成电路的制造过程中生产出n或p型掺质区域或构成钝化层。当用于半导体掺质作业时，离子注入系统注入一选定离子种类以产生所需的异质材料。注入自例如锑、砷或磷的来源材料所产生的离子，会产获n型异质材料层，而若是需要p型异质材料层，则可注入例如...
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