技术编号:29249931
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。半导体装置的制造方法及半导体装置.本申请主张以日本专利申请第-号(申请日:年月日)为基础申请的优先权。本申请通过引用该基础申请而包含基础申请的全部内容。技术领域.实施方式主要涉及半导体装置的制造方法及半导体装置。背景技术.对于通过设置于沟槽内的栅极电极控制沿半导体层的纵向使电流导通的沟道的设备,需要改善由栅极电极和基极区域的位置关系产生的接通电阻和寄生电容的权衡关系的设备设计。另外,由于制造时的偏差,有时实际设备的接通电阻和电容产生偏差,需要抑制这种情况。...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。