技术编号:29249978
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体集成电路制造领域,特别是涉及一种鳍式场效应晶体管(finfield effect transistor,finfet)的制造方法。背景技术.随着半导体制程技术的发展,栅极宽度不断缩小,传统平面cmos器件已经不能满足器件的需求,譬如对于短沟道效应的控制。对于nm以下的技术节点,鳍式场效应晶体管结构具有更好的电学性能。.鳍式场效应晶体管的源区和漏区中还会引入嵌入式外延层,通过源区和漏区的嵌入式外延层改变沟道区的应力,从而能改善沟道区的载流子迁移率并从而提高器件的性能。在...
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