技术编号:29249981
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及一种半导体结构及其操作方法,尤其涉及一种存储器结构及其操作方法。背景技术.由于非易失性存储器(non-volatile memory)具有存入的数据在断电后也不会消失的优点,因此许多电器产品中必须具备此类存储器,以维持电器产品开机时的正常操作。然而,在利用栅极(如,浮置栅极(floating gate))存储电荷的存储器中,由于位于栅极与基底之间的栅介电层通常较薄,因此存储在栅极中的电荷容易流失,进而降低存储器元件的数据保存能力(data retention capacity)。...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。