技术编号：2925387
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明为大体关于衬底的等离子体工艺。本发明特别是关于射频(RF)线圈及辅助磁体，例如溅射反应器所使用的电磁体(electromagnet)，且特别是多步骤阻挡层工艺中所使用的电磁体。背景技术 在半导体集成电路制造过程中，溅射工艺(或称作物理气相沉积(PVD))用来沉积许多不同的金属层及相关材料层。在严苛的应用领域中，薄型阻挡层通常会溅射在窄孔的壁面和底部，其中窄孔已经过蚀刻且通常会穿过不同层之间的介电层，而最常见的介电层由氧化硅或类似的氧化材料所构成。随后...
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