技术编号：2925532
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及杂质引入的方法，更具体地涉及在制造半导体装置等过程中。背景技术 由于装置领域中更精细装置技术最近的发展，要求形成更浅分布(profile)的结。低能离子注入是形成浅结的已知方法。低能离子注入技术是使用非常高的电压将离子驱离离子源并在稍后阶段使离子减速。这样，在将束流值保持在非常高水平的情况下实现低能注入。这种技术已经成功地在浅至几十nm的分布内提供杂质层；而且该层已经在半导体装置工业中付诸实践。作为在更浅分布内形成结的新技术，等离子体掺杂技术正引...
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