技术编号：2925669
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体上涉及离子注入系统，且更尤其涉及于离子注入系统中聚焦被扫描的离子束的聚焦装置与方法。背景技术 在半导体器件与其他产品的制造中，离子注入被用于以杂质来掺杂半导体晶片、显示器面板、或其他的工件。离子注入器或离子注入系统利用离子束来处理工件，以产生n型或p型的掺杂区域或形成保护层于工件中。当用于掺杂半导体晶片时，离子注入系统注入选择的离子种类至晶片中，以产生期望的非本征(extrinsic)材料，其中，由诸如锑、砷或磷的源材料所产生的注入离子造成n型的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。