技术编号：2926389
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。背景技术 通常，电子发射器件被分为使用热阴极作为电子发射源的电子发射器件和那些使用冷阴极作为电子发射源的电子发射器件。有多种类型的冷阴极电子发射器件，包括场发射阵列(FEA)型，金属-绝缘体-金属(MIM)型，金属-绝缘体-半导体(MIS)型和表面导电发射器(SCE)型。FEA型电子发射器件基于如下原理当具有低功函数或者高深宽比的材料被用作电子发射源，在真空气氛中在其上施加电场时，电子容易从电子发射源发射。基于钼Mo或者硅Si或者含碳的材料，例...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。