技术编号：2926393
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电子发射器件，并且特别是涉及具有在交叉区域具有改进形状的驱动电极以降低电容值并且最小化(或者减小或者防止)信号延迟的电子发射器件。背景技术 根据电子源的种类，电子发射器件可以分类为使用热阴极的电子发射器件，或者使用冷阴极的电子发射器件。在使用冷阴极的电子发射器件中，有场发射阵列(FEA)型、表面导电发射(SCE)型、金属-绝缘体-金属(MIM)型和金属-绝缘体-半导体(MIS)型。FEA型电子发射器件包括为形成真空腔(或者真空容器)的第一和第二基...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。