技术编号：2926395
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在半导体基板等被处理基板上进行等离子体蚀刻等的等离子体处理的。背景技术 例如，在半导体器件的制造过程中，为了在作为被处理基板的半导体晶片上形成的规定的层上形成规定的图形，多采用以保护层作为掩摸，通过等离子体进行蚀刻的等离子体蚀刻处理。作为进行这种等离子体蚀刻用的等离子体蚀刻装置，可以使用各种装置，其中主流为电容结合型平行平板等离子体处理装置。电容结合型平行平板等离子体蚀刻装置，是在腔室内配置一对平行平板电极(上部电极和下部电极)，将处理气体导入腔...
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