技术编号：2926759
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本揭示内容大体关于半导体设备，且更明确地说，关于离子束角度扩散控制 的技术。背景技术离子注入是通过以受激离子直接轰击基板而将化学物质沉积至基板上的处 理。在半导体制造中，离子注入机主要用于改变目标材料的传导率的类型及电压的掺杂处理。 一集成电路(ic)基板及其薄膜结构中的精确掺杂分布通常对适当IC效能至关重要。为了达成一所要掺杂分布，可以不同剂量及不同能阶注入一或多种 离子物质。离子物质、剂量及能量的规格被称作离子注入配方。图1描绘一现有技术的离子注入机系...
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