技术编号：2928973
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种高电流密度电子发射体材料及制备方法，尤其涉及一种含锆钩基的 高电流密度电子发射体材料及制备方法，属于含有添加剂的难熔金属阴极材料技术领 域。背景技术电子发射体是真空电子器件的心脏，广泛应用于雷达、电子对抗、通讯遥测遥控等 各类电子信息系统和设备中。随着工作频率向毫米波段进展，器件尺寸微型化，对电子 发射体大电流密度、长寿命、高工作稳定性的要求尤为紧迫。目前研制的方法是在传统 的钡钨阴极基体中添加020(组成重量比0203为1-20%，鸨粉为8...
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