技术编号：2932761
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微细加工及半导体，涉及一种对金属微尖如钼、钨等微尖阵列制备方法的改进。现有的金属微尖如钼、钨等微尖阵列制备方法，如图1所示目前主要采用溅射方法制备而成，图1(a)是二氧化硅蒸发金属栅极；图1(b)是形成光刻图案；图1(c)是腐蚀二氧化硅和金属栅极孔；图1(d)是斜角蒸发金属牺牲层；图1(e)是蒸发形成金属微尖和覆盖层；图1(f)是腐蚀掉牺牲层；图1中二氧化硅2、金属栅极3、带有导电层的衬底1、牺牲层4、金属钼微尖7、闭合层6、光刻胶图形阵列5，既...
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