技术编号：2934197
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及等离子体源。背景技术等离子体源使用在许多不同的装置上，包括离子束源和多种蚀刻与沉积工具。这些等离子体源通常包括含等离子体的腔室，众所周知，由于等离子体和室壁的相互作用，等离子体密度在靠近室壁处变小。密度的不均匀将造成等离子体法处理的工件的不均匀。目前为止几乎普遍的方法都是用石兹体或电》兹体在腔室周围产生》兹场来降低电子到达室壁的速度。通过增加边界等离子体密度，依次减少离子在室壁上的损耗率，来增加加工面整体的均匀性。这种方法经常只能部分有效，且贯穿...
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