技术编号：2934402
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及基板处理技术，特别是涉及使用临场光罩(in-situ mask)匹 酉己(match)离子注入装置(ion implantation device)的寸生能(performance) 的技术。背景技术在半导体制造中，离子注入用于改变部份基板的材质属性。实际上，离 子注入已经成为各种基于半导体(semiconductor-based)的产品的生产过程 中变更半导体晶圓属性的标准技术。注入可用于将导电性变更杂质 (conductivity—alter...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。